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飞思卡尔MC9S12HY48RM单片机的片内DFLASH读写有关问题

2013-01-04 
飞思卡尔MC9S12HY48RM单片机的片内DFLASH读写问题刚开始学单片机,原来数据存储是在外部EEPROM的。现在想直

飞思卡尔MC9S12HY48RM单片机的片内DFLASH读写问题
刚开始学单片机,原来数据存储是在外部EEPROM的。现在想直接存在DFLASH里,貌似要用到模拟EERPOM功能(EEE)。资料看了一些,直接做了很久也没搞出来。我是调用它原来的函数FlashInit()先初始化flash,读是直接对地址读取,写是先调用它原来的函数DFlashErase()进行擦除,然后擦除校验DFlashEraseVerify(),然后直接对地址写。这样写仿真的时候会出现ILLEGAL_BP错误提示,如果去掉擦除和擦除校验就读写没有反应。
有没有高手给个思路,应该怎么去做?谢谢!
另外,我英文不太好,资料吃力啊,有没有哪位大神有这个单片机的中文资料啊,跪求!

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还是在多读读资料吧
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楼主,我做过S12的DFalsh读写应用,根据你的描述,有可能是交叉编译的设置问题,看看芯片有没有选错?

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