有关单片机的小问题
1.片内，片外存储有什么不同，他们区分的标准是什么，“片”指的是什么？
2.复位电路中的电容，电阻，晶振值是三者知其二的，那么他们之间是如何计算的。比如说我晶振12M,电容10uf,那么我的电阻取多大呢，这是怎么计算的。
谢谢各位给予详细指导，不甚感激。。。
[解决办法]
一个在单片机内部，一个在单片机外部。片指单片机芯片
2.取决于复位电平所需要的最短时间
[解决办法]
时间常数t=R*C
[解决办法]
1）片内和片外访问有所不同，片内有总线，片外也有总线。访问片内用mov指令，访问片外数据用movc（程序空间）或movx（RAM空间）；
2）由于复位时间比较短，所以，通常不妨将复位时间做长一点，让复位的时间远大于实际的需要，这样就不必考虑晶振的快慢了。
3）电容与电阻构成充放电时间，同样基于2），取R=10K,C=1u~10u都可以（余量足够）。
[解决办法]
(1) 片内片外是相对于单片机来说的。比如存放程序的Flash/ROM吧，8031和8051AH是没有内部程序存储器的，需要通过P0，P2口扩展外部Flash/ROM。
(2) 复位电路由电阻电容构成，它和晶振的大小有一定的关系（很小的关系）。比如AT89c51单片机，它的复位条件是：“在振荡器运行时保持RESET引脚位高电平大于2个机器周期”。单片机复位启动时，振荡器运行就涉及到晶振的起振时间，他和晶振的频率和起振电容（一般22-33pf）的大小等参数有关，跟温度，工作电压等都有关，我没有测过51的这个时间到底有多少，假设3ms，两个机器周期就可以忽略不计了。RC电路在RST引脚的的电平 Vo = Vcc*(1-e(-t/RC)),e后面括号里是指数。这样只要Vo保持大于0.7Vcc的时间大于3ms就可以复位了。为了保证可靠复位，例如选择t=5*3ms，就可以计算出RC，已知C，可得R。
